पातळ पटल : दुसऱ्या महायुद्धानंतरच्या २०-२५ वर्षांत शास्त्रज्ञांनी केलेल्या निरनिराळ्या पदार्थांच्या पातळ पटलांच्या उपयुक्त गुणधर्मांच्या अभ्यासाने पातळ पटलाचे एक नवीन तंत्रच निर्माण झाले आहे. या तंत्राच्या साहाय्याने सध्याच इलेक्ट्रॉनीय साधने, प्रकाशीय साधने व घनावस्था साधने [→ घन अवस्था भौतिकी] यांच्या निर्मितीत अनेक आमूलाग्र बदल झाले आहेत व नजीकच्या भविष्यकाळात अन्य तंत्रांतही बदल होतील यांत शंका नाही. बरीच पातळ पटल साधने निर्वात निक्षेपण पद्धतीने (आवश्यक त्या द्रव्याचे निर्वात अवस्थेत बाष्मीभवन करून योग्य पदार्थावर ते साचविण्याच्या-थर देण्याच्या-पद्धतीने) बनवितात. ही साधने बनविणे निर्वात भौतिकीच्या प्रगतीमुळे शक्य झाले आणि अशा नवनवीन साधनांच्या निर्मितीसाठी अतिनिर्वात तंत्रही प्रगल्भ झाले आहे व होत आहे. काही संशोधक घन पदार्थांच्या गुणधर्मांचा अभ्यास त्याच्या पातळ पटलाच्या साहाय्याने करतात कारण तसा अभ्यास करणे सोईचे जाते. याउलट काही पदार्थांच्या बाबतीत पातळ पटलांचे काही गुणधर्म त्या पदार्थांच्या स्थूल स्थितीतील गुणधर्मांहून भिन्न असल्याने त्यांचा अभ्यास महत्त्वाचा ठरतो. उदा., सांरचनिक गुणधर्म, विद्युत् गुणधर्म वगैरे. या गुणधर्मानुसार पातळ पटलांचा निरनिराळ्या कामी उपयोग केला जातो. दिल्ली येथील इंडियन इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजीमध्ये सर्वस्वी पातळ पटलांच्या संशोधनाकरिता एक खास प्रयोगशाळा उभारण्यात आलेली आहे.  

‘ज्या घन पदार्थाची जाडी त्याच्या लांबीरुंदीच्या मानाने खूपच कमी असते असा पदार्थ’ अशी पातळ पटलाची शब्दशः व्याख्या करता येईल. ही जाडी एक मायक्रॉन (१०-६ मी.) किंवा त्याहूनही कमी असते. अशा जाडीची अनेक प्रकारची पटले उपयोगात आहेत. उदा., पृष्ठभागावर दिलेल्या रंगाचे किंवा व्हार्निशाचे पातळ आवरण अथवा सोन्याचा किंवा चांदीचा ठोकून ठोकून बनविलेला पातळ वर्ख वगैरे. अशी पटले पृष्ठभागाच्या संरक्षणासाठी वा अन्य कारणाने उपयुक्त असली, तरी यांना तांत्रिक अर्थाने पातळ पटल असे संबोधत नाहीत. जे पातळ पटल एक-एक अणु किंवा एक-एक रेणू यांच्या संघननाने बनते, त्यालाच पातळ पटल ही संज्ञा देण्यात येते. 

निर्मिती : पातळ पटले अनेक पद्धतींनी बनविता येतात. त्यांच्या उपयोगानुसार ती विशिष्ट पद्धतींनी बनवितात. या ठिकाणी काहीमहत्त्वाच्या व मोठ्या प्रमाणावर वापरल्या जाणाऱ्या पुढील पद्धतींचाच विचार केलेला आहे : (१) ऊष्मीय निक्षेपण, (२) आयनरंजन आणि (३) रासायिक निक्षेपण.

ऊष्मीय निक्षेपण : निर्वात ऊष्मीय निक्षेपण पद्धतीने फार मोठ्या प्रमाणावर पातळ पटलीय साधने बनविली जातात, कारण या पद्धतीने 

आ. १. निर्वात ऊष्मीय निक्षेपण : (१) पोलादी तळ, (२) काचेची हंडी, (३) निओप्रीन रबराचे कडे, (४) विसरण पंप, (५) झडप, (६) परिभ्रमी पंप, (७) झडप, (८) पेनींग वायुदाबमापक, (९) टंगस्टन तारेचे तप्त वेटोळे, (१०) आधारस्तर, (११) पिरानी वायुदाबमापक.

बऱ्याच प्रमाणात शुद्ध आणि विश्वसनीय पटलांची मोठ्या प्रमाणावर निर्मिती करता येते. शिवाय या पद्धतीने कमी वेळात व सुटसुटीत सामग्रीने पटले बनविता येतात. या पद्धतीत ज्या घन पदार्थाचे पटल हवे असेल तो पदार्थ टंगस्टन किंवा टँटॅलम अथवा अशाच प्रकारच्या उच्चतापसह (न वितळता उच्च तापमान सहन करू शकणाऱ्या ) धातूच्या तारेचे वेटोळे बनवून त्यात ठेवला जातो. विद्युत् प्रवाहाच्या योगे तारेच्या वेटोळ्याचे तापमान वाढविले असता त्यामध्ये ठेवलेल्या पदार्थाचे बाष्पीभवन होते. ऊष्मीय विसरण क्रियेमुळे (रेणू एकमेकांत मिसळ्ण्याच्या क्रियेमुळे) पदार्थाचे बाष्प वेटोळ्याच्या वरच्या दिशेने गतिमान होते व इष्ट आधारस्तरावर त्याचे निक्षेपण होते. जर पदार्थ चूर्णरूपात असेल, तर त्याचे चूर्ण क्वॉर्ट्‌झ, सिलिका किंवा अन्य उच्चतापसह द्रव्याच्या लहान मुशीत ठेवून ती मूस नंतर तप्त तारेच्या वेटोळ्यात ठेवतात. सर्वसाधारणपणे वापरली जाणारी ऊष्मीय निर्वात निक्षेपण यंत्रणा आ. १ मध्ये दाखविली आहे. यामध्ये एका लोखंडी किंवा पोलादी जाड तव्यावर एक काचेची हंडी उपडी ठेवलेली असते. दोहोंच्या दरम्यान एक विशेष प्रकारच्या रबराचे (निओप्रिनाचे) कडे (गॅस्‌केट) असून त्यायोगे निर्वात सीलबंद होतो. तळाला मधोमध एक मोठे वर्तुळाकार भोक पाडलेले असून त्याला खालून (४) हा विसरण पंप [→ निर्वात] जोडलेला असतो. पंप व तळ यांच्या दरम्यान एक झडप (५) असून ती जरूरीप्रमाणे उघडता वा बंद करता येते. या झडपेच्या योगाने विसरण पंप व त्यावरील हंडी यांधील दळणवळणाचे नियंत्रण करता येते. (६) हा यांत्रिक परिभ्रमी पंप [→ निर्वात] विसरण पंपाला जोडलेला असून दोहोंच्या दरम्यान (७) ही दूसरी झडप असते. पेनींग वायुदाबमापकाने (८) हंडीतील वायुदाब मोजता येतो, तर पिरानी वायुदाबमापकाने (११) विसरण पंपाच्या आधीच्या भागातील वायुदाब मोजता येतो. टंगस्टान तारेच्या वेटोळ्यातून (९) विद्युत् प्रवाह पाठवून ते तापविता येते. ज्या पदार्थाच्या आधारस्तरावर पातळ पटल निक्षेपित करावयाचे असते तो आकृतीत दाखविल्याप्रमाणे (१०) येथे ठेवतात. जरूरीनुसार त्याचे तापमान त्यावरील वेटोळ्यातून (हे आकृतीत दाखविलेले नाही) विद्युत् प्रवाह पाठवून वाढविता येते. हंडीमधील प्रदेश पंप योजनेने सु. १०-५ ते १०-६ टॉर इतक्या दाबापर्यंत निर्वात केल्यावर टंगस्टन तारेतून विद्युत् प्रवाह पाठवून ती सु. १,१००° ते १,८००° के. पर्यंत तापवितात. या तापमानाला निक्षेपण करावयाच्या पदार्थाचा बाष्प दाब ( १०-२ ते १०-३ टॉर) वाढतो. कमी दाबाला → द्रव्याच्या गत्यात्मक सिद्धांतानुसार बाष्पातील रेणूंचा माध्य मुक्त पथ हंडीच्या आकारमानाहून मोठा झाल्यामुळे ते रेणू जवळजवळ सरळ रेषेत जाऊन


आधारस्तरावर आपटू लागतात. त्यांतील काही परावर्तित होतात, तर काहींचे आधारस्तरावर चलन होते. असे चलित रेणू एकमेकांशेजरी येऊन त्यांचे शेवटी पटल तयार होते, जरूरीनुसार या पटलाचे अनुशीतन (हळूहळू थंड करणे) करतात व नंतर ते उपयोगासाठी हंडीबाहेर काढतात. ठराविक जाडीची पटले पाहिजे असल्यास निक्षेपण क्रिया चालू असताना अपेक्षित जाडीचे पटल तयार झाल्यावर आधारस्तर व टंगस्टनाचे वेटोळे यांच्या दरम्यान एक धातूचा पडदा टाकून आधारस्तरावरील निक्षेपण थांबवितात.

सर्वसाधारणतः वापरली जाणारी निर्वात ऊष्मीय निक्षेपण पद्धती वर दिली आहे. तीत जरूरीनुसार अनेक बदल करण्यात येतात. उदा., तारेचे वेटोळे न वापरता टंगस्टन वा टँटॅलम यासारख्या धातूच्या पट्टीवर पदार्थ ठेवतात व ही पट्टी तापवून पदार्थाचे निक्षेपण करतात. ज्या पदार्थाचे निक्षेपण करावयाचे असेल त्या पदार्थाचे जर उच्च तापमानाला अपघटन (रेणूचे तुकडे पडण्याची क्रिया) होत असेल, तर त्यामुळे शुद्ध पटल मिळत नाही. अशा वेळी तप्त टंगस्टन किंवा टँटॅलमाच्या पट्टीवर पदार्थाची पूड थोडीथोडीच पडेल अशी व्यवस्था केली जाते. त्यामुळे अपघटनाचे प्रमाण कमी होते. काही वेळा पदार्थ वर वर्णन केलेल्या विद्युत् प्रवाहाच्या रोधीय पद्धतीने न तापविता निक्षेपण करण्याच्या पदार्थावर इलेक्ट्रॉनांचा प्रत्यक्ष मारा करून त्याचे तापमान खूप वाढवितात. तसेच प्रवर्तनी तापन पद्धतीने (विद्युत् चुंबकीय क्षेत्र बदलते ठेवून विद्युत् प्रवाह प्रवर्तित करून एखादा अल्प संवाहक असलेला पदार्थ तापविण्याच्या पद्धतीने) उष्णता निर्माण करूनही निक्षेपण करतात. अलीकडे ⇨लेसरच्या साहाय्याने उष्णात निर्माण करूनही निक्षेपण करणे शक्य झाले आहे.

आयनरंजन : अल्प दाबातील (१०-२ टॉर) वायुविसर्जनात (वायूतून होणाऱ्या विद्युत् वहनात) ऋणाग्रावर वेगवान धन आयनांचा (धन विद्युत् भारित कणांचा) मारा केला असता ऋणाग्राच्या द्रव्याचे अणू ऋणाग्रापासून उत्सर्जित होतात व त्याच्या समोर एखादा आधारस्तर ठेवला, तर त्यावर त्याचे निक्षेपण होते. या क्रियेस आयनरंजन म्हणतात. ज्या पदार्थाचा वितळबिंदू उच्च मूल्याचा असतो अशा पदार्थाचे पटल ऊष्मीय पद्धतीने बनविणे अवघड असते. अशा पदार्थाचे आयनरंजन पद्धतीने निक्षेपण करणे सोपे जाते. या पद्धतीत वापरण्यात येणारी योजना बहुतांशी आ. १ प्रमाणेच असते. हंडीत धनाग्र व ऋणाग्र बसवितात व त्यांच्या दरम्यान काही हजार व्होल्ट इतका एकदिश विद्युत् दाब निर्माण करतात. यामुळे वायूत विद्युत् विसर्जन होऊन धन व ऋण आयन निर्माण होतात. धन आयन ऋणाग्रावर आपटून आयनरंजन घडते. या पद्धतीने मिळणाऱ्या निक्षेपणाची त्वरा फार कमी असते. शिवाय हवेचा दाब १०-२ टॉर इतका असल्यामुळे अवशिष्ट हवेशी पटलाचा संबंध येऊन पटल दूषित होण्याचा संभव असतो. अशा परिस्थितीत पटलावर काही प्रमाणात नायट्राइडे व ऑक्साइडे बनतात असे आढळून येते. हे टाळण्यासाठी आर‌्गाॅन वा हीलियम यासारख्या अक्रिय (तर मूलद्रव्यांशी सहजी संयोग न पावणाऱ्या) वायूमध्ये आयनरंजन करतात. विद्युत् निरोधक पदार्थाचे आयनरंजन करताना ते पदार्थ विद्युत् भारित होतात व नवीन येणाऱ्या आयनांचे प्रतिसारण करतात. हे टाळण्यासाठी हल्ली रेडिओकंप्रता प्रत्यावर्ती पद्धतीने(उलट सुलट दिशेने वाहणाऱ्या व ज्याच्या दर सेकंदास होणार्या आवर्तनांची संख्या म्हणजे कंप्रता १० ते१० असते अशा विद्युत् प्रवाहाचा उपयोग करणाऱ्या पद्धतीने) आयनरंजन करून निक्षेपण करतात. प्रत्यावर्ती विद्युत् दाबाच्या अर्ध्या आवर्तनामध्ये धन आयन पदार्थावर आघात करून त्यापासून आयनरंजन पद्धतीने कणउत्सर्जन करतात. दुसऱ्या अर्ध्या आवर्तनात विद्युत् दाबाची दिशा बदलत असल्यामुळे पदार्थावर इलेक्ट्रॉनांचा भडिमार होऊन त्यावर मागील आवर्तनात जमा झालेल्या विद्युत् भाराचे उदासिनीकरण होते. साध्या आयनरंजन पद्धतीने मिळणारी पटले जरी थोड्याफार प्रमाणात दूषित झाली, तरी अशा पटलांचे आधारस्तराशी असलेले बंधन पक्के असते.

रासायनिक निक्षेपण : रासायनिक पद्धतीने अनेक प्रकारे पातळ पटले बनवितात. विद्युत् विलेपन पद्धती फार पूर्वीपासून ज्ञात आहे. या पद्धतीत ज्या धातूचा मुलामा (पातळ पटल) द्यावयाचा असेल तिच्या लवणाचा योग्य अशा पात्रात जलीय विद्राव तयार करतात. त्यात धातूच्या दोन पट्ट्या बुडवून त्यातून एकदिश विद्युत् प्रवाह पाठविल्यास विद्रावातील धातूचे धन आयन ऋणाग्राकडे जातात व ऋणाग्रावर त्या धातूचा मुलामा बसतो. याशिवाय विद्युत् अग्ररहित निक्षेपण पद्धतीत विद्युत् विच्छेदन क्रियाच (विद्युत् प्रवाहाच्या साहाय्याने घटकद्रव्ये अलग करण्याची क्रियाच) बाह्य विद्युत् योजनेशिवाय घडते. या पद्धतीने आरशावरील तसेच थर्मास पात्रावरील मुलामा देतात. या तंत्रात निकेल, कोबाल्ट, चांदी वगैरे धातूंच्या क्लोराइडांचे सोडियम हायपोफॉस्फाइटाने ⇨ क्षपण करतात. अधातूच्या पृष्ठभागावर मुलामा द्यावयाचा झाल्यास स्टॅनस क्लोराइड किंवा तत्सम रसायने थोड्या प्रमाणात संवेदीकारक म्हणून वापरतात. उत्ताप विच्छेदन पद्धतीत (केवळ उष्णतेच्या साहाय्याने रासायनिक बदल घडवून आणण्याच्या पद्धतीत) बाष्परूप अवस्थेत निरनिराळी हॅलाइडे किंवा ⇨ कार्बनीधातू संयुगे यांचे विशिष्ट तापमानाला अपघटन होते आणि त्यापासून घनरूप व वायुरूप पदार्थ तयार होतात. घनरूप पदार्थाचे योग्य अशा आधारस्तरावर निक्षेपण करता येते. या पद्धतीस उत्ताप विच्छेदन असे म्हणतात. उदा., टेट्राएथिलीन ऑर्थोसिलिकेट हा द्रव पदार्थ ७००° ते ८००° से. तापमानाला तापविला असता उत्ताप विच्छेदन घडून सिलिकॉन डाय-ऑक्साइडाची पातळ पटले बनतात. या पटलांचा इलेक्ट्रॉनीय साधनात फार उपयोग होतो. अन्य प्रकारची पातळ पटलेसुद्धा या पद्धतीने बनविता येतात.

पटलाची जाडी मोजणे : पातळ पटलाची जाडी खूप कमी असल्याने ती जाडी मोजणे आणि ठराविक जाडीची पटले बनविणे फार महत्त्वाचे असते. त्यासाठी काही खास पद्धतीने जाडीचे मापन करतात. वजनी पद्धतीत पटलाचे वजन विशेष प्रकारच्या अचूक तराजूने मोजतात [परिपीडन तराजूने ⇨ तराजू]. पातळ पटलाची घनता त्या पदार्थाच्या स्थूलस्थितीतील घनतेइतकीच असल्याचे गृहीत धरून पटलाचे क्षेत्रफळ मोजून त्याची जाडी निश्चित करता येते. असा तराजू कॉर्ट्झाच्या अगदी पातळ अशा तंतूंपासून बनवितात व तो निक्षेपण हंडीतच बसवितात. या तराजूच्या एका बाजूवर निक्षेपण क्रिया होऊन तिचे वस्तुमान बदलल्यामुळे तराजूचे विचलन होते. या विचलनावरून पटलाची जाडी निश्चित करता येते व अपेक्षित जाडी झाल्यावर निक्षेपण क्रया बंद करता येते. दुसर्याट एका पद्धतीत निक्षेपण क्रिया चालू असातना पटलाचा विद्युत् रोध मोजतात. त्यावरून इतर पूर्वगणनाच्या साहाय्याने पटलाची जाडी निश्चित करता येते. तिसऱ्या एका पद्धतीत क्वॉर्ट्झ स्फटिकाचा विशिष्ट जाडीचा व विशिष्ट दिशेने काप कापून तो निक्षेपण हंडीत दोन धातुपट्ट्यांच्या दरम्यान बसवितात. त्या पट्ट्यांना ज्याची कंप्रता बदलता येते असा एक मानक आंदोलक जोडतात. कापाच्या जाडीनुसार त्याची नैसर्गिक कंप्रता असते. आंदोलकाची कंप्रता तितकीच असल्यास ⇨ अनुस्पंदन मिळते. कापावर पातळ पटलाचे निक्षेपण झाल्यास त्याची नैसर्गिक कंप्रता बदलते व या कंप्रताबदलावरून पटलाची जाडी मोजता येते. त्याचप्रमाणे जाडीचे नियोजनही करता येते आणि हव्या त्या जाडीची पटले बनविता येतात.

निक्षेपण क्रिया : निक्षेपण क्रियेमध्ये तप्त उद्‍गमापासून निघालेले रेणू आधारस्तरावर आदळतात. आधारस्तराच्या तापमानानुसार त्यातील काही रेणू आधारस्तरावरच राहतात व उरलेले परावर्तित होतात. आधारस्तराच्या तापमानानुसार रेणूंचे त्यावर चलन होते. या क्रियेत रेणूंचा एकमेकांशी संपर्क आला की, प्रथम दोन, तीन किंवा अनेक रेणूंचे पुंजके बनतात. या पुंजक्यांची वृद्धी किंवा विघटन घडण्याची संभाव्यता तापमान, रेणुस्रोत, आधारस्तराचे गुणधर्म वगैरे अनेक बाबींवर अवलंबून असते. असे पुंजके एकमेकांस जोडले जाऊन त्यांची अनेक बेटे बनतात. ही बेटे हळूहळू मोठी होत जातात व ती एकमेकांस चिकटतात व त्यांच्यामध्ये अनेक घळी असतात. नंतर या घळी लहानलहान होत जाऊन शेवटी खंडरहित पटल बनते. निक्षेपण क्रियेने पटल बनताना घडणारे पुंजके, बेटे, घळी वगैरे बदल इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शकाच्या साहाय्याने अभ्यासता येतात.

उपयोग : पातळ पटलांचा उपयोग हल्ली अनेक तंत्रात करण्यात येत आहे. पातळ पटलांच्या साहाय्याने इलेक्ट्रॉनीय साधनांचे लघुकरण किंबहुना सूक्ष्मीकरण करणे शक्य झाले आहे [ ⇨ सूक्ष्मीकरण, इलोक्ट्रॉनीय मंडलांचे] आणि त्यामुळे अवकाशविज्ञान, अवकाश प्रवास, मार्गदर्शित क्षेपणास्त्रे यांमध्ये फार मोठी प्रगती झाली आहे. पातळ पटलांपासून इलेक्ट्रॉनीय विवर्धक (आदान विद्युत् संकेताच्या दाबाचे मूल्य अथवा त्याचा परमप्रसर किंवा त्याची विद्युत् शक्ती वाढविण्याचे साधन), विद्युत् रोधक, धारित्रे (विद्युत् भाराचा संचय करणारी साधने), समाकलित मंडले [ केवळ एकाच अर्धसंवाहक स्फटिकावर आणि त्याच्या आत तयार केलेली लघू इलेक्ट्रॉनीय मंडले⇨ सूक्ष्मीकरण, इलेक्ट्रॉनीय मंडलांचे], ⇨ मुद्रित मंडले, ⇨ ऊर्जापरिवर्तक (एका प्रकारच्या उर्जेचे दुसऱ्या  प्रकारच्या ऊर्जेत रूपांतर करणारी साधने) इ. साधने बनविता येतात. ही साधने आकारमानाने खूपच लहान असून अल्प खर्चाची असतात, तसेच त्यांचे कार्य चांगले विश्वसनीय असते.

निक्षेपण क्रिया चालू असताना हंडीतील वायू, त्याचा दाब, आधार स्तराचे तापमान, उद्गकमाचे तापमान, उद्‌गमाचे आधारस्तरापासून अंतर, आधारस्तराची स्फटिकी संरचना, विशिष्ट उद्‌गम वगैरे अनेक बाबींवर पटलाचे गुणधर्म अवलंबून असतात. शिवाय एक ठराविक जाडीचे पटल बनविल्यानंतर त्यावर केलेली क्रिया वगैरे बाबींचाही त्यांच्या गुणधर्मावर परिणाम होतो. त्यामुळे निक्षेपण क्रियेतील निरनिराळे घटक नियंत्रित करून अपेक्षित रचना किंवा अपेक्षित दोषही पटलांत अंतर्भूत करता येतात व हव्या असलेल्या गुणधर्मांची पटले बनविता येतात. उदा., अशा तऱ्हेने कमी रोधताप गुणांक (१° से. तापमानातील वाढीमुळे विद्युत् रोधात होणारा बदल भागिले ०° से. तापमानाला असणारा विद्युत् रोध) असलेले पातळ पटल रोधक हल्ली मोठ्या प्रमाणावर वापरले जात आहेत. संवाहक पटल, त्यावर विद्युत् निरोधक (निराळ्या आकारमानाचे) पटल, त्यावर पुन्हा निरोधक किंवा अर्धसंवाहक पटल अशी पटले एकावर एक इष्ट त्या स्थानी निक्षेपित करून गुंतागुंतीची इलेक्ट्रॉनीय मंडले बनविता येतात. अशा मंडलांना समाकलित मंडले म्हणतात. यात ट्रँझिस्टरही निक्षेपण क्रियेनेच ठराविक स्थानी निर्माण केले जातात. अशी मंडले कमी जागा व्यापतात व ती सुवाह्य असल्यामुळे अवकाश प्रवासाकरिता निरनिराळ्या साहाय्यक इलेक्ट्रॉनीय साधनांत वापरण्यास सुयोग्य ठरतात.


आ. २ पातळ पटल तपयुग्म जोडणीचा एक प्रकार

तपयुग्माने (दोन निरनिराळ्या धातूंच्या विद्युत् संवाहक तारांची टोके एकत्र जोडून आणि उरलेली टोके विद्युत् प्रवाहमापकास जोडून तयार होणाऱ्या आणि एकत्र जोडलेल्या टोकांचे तापमान मोजण्याच्या साधनाने) तापमान मोजता येते. अशी अनेक तपयुग्मे एकसरीत जोडल्यास पुरेसा विद्युत् दाब निर्माण होऊन तापमानातील सूक्ष्म बदल चटकन व अचूकपणे मोजता येतो. तपयुग्मासाठी भिन्न धातूंच्या तारा वापरतात. जास्त युग्मे वापरावयाची असल्यास जास्त जागा लागते व त्यामुळे युग्मांच्या संख्येवर मर्यादा पडते. पातळ पटलाच्या स्वरूपात असंख्य युग्मे एकसरीत निक्षेपति करता येतात आणि अशा योजनने एकलक्षांश अंश से. इतका तापमानातील सूक्ष्म बदल मोजता येतो. याचा पयोग लष्करी क्षेत्रात विशेष होतो. आ. २ मध्ये अशी एक पातळ पटल तपयुग्म जोडणी दाखविली आहे.

संरचना दोषांचे प्रमाण वाढवून मूळ धातूपेक्षा अनेक पट जास्त यांत्रिक बल असलेली त्याच धातूची पातळ पटले बनविता येतात. यामुळे त्या पटलांच्या विद्युत्, चुंबकीय, अर्धसंवाहकीय [ ⇨ अर्धसंवाहक] आणि अतिसंवाहकीय [ ⇨ अतिसंवाहकता] गुणधर्मांवरही परिणाम होतो. अतिसंवाहक धातू पातळ पटल स्वरूपात त्याच्या नेहमीच्या तापमानापेक्षा जास्त तापमानाला अतिसंवाहक बनतात. अशा पातळ पटल स्वरूपाच्या अतिसंवाहकाचा उपयोग स्विच म्हणून संगणकासारख्या (गणकयंत्रासारख्या) साधनात केला जातो.

विमान किंवा अन्य वाहनांच्या तावदानावर धुके किंवा बाष्प साठल्यामुळे त्यातून नीट दिसत नाही व तावदान पुनःपुन्हा पुसावे लागते. यासाठी हल्ली पारदर्शक विद्युत् संवाहक पातळ पटल तावदानावर निक्षेपित करतात आणि त्यातून विद्युत् प्रवाह पाठवून निर्माण झालेल्या उष्णतेमुळे बाष्पाचे संघनन (द्रवीकरण) होण्याला प्रतिबंध होतो.

प्रकाशीय साधनांमध्येही पातळ पटलांमुळे अनेक सुधारणा करणे शक्य झाले आहे. निरनिराळे परावर्तक, प्रतिपरावर्तक, प्रकाशीय गाळण्या, पोलरॉइड (विशिष्ट प्रतलात कंप पावणारा म्हणजे ध्रुवित प्रकाश अध्रुवित प्रकाशापासून मिळविण्याचे साधन) इ. प्रकाशीय साधने पातळ पटल तंत्राच्या साहाय्याने बननविली जात आहेत. अशा साधनांचीही विश्वसनीयता चांगली असते. प्रकाशीय पातळ पटलामुळे उत्तम प्रकारचे आरसे बनविता येतात. अशा आरशांच्या साहाय्याने सर्व तरंगलांब्यांचे प्रकाशकिरण परावर्तित करता येतात. याउलट विशिष्ट जाडीच्याच पातळ पटलाच्या साहाय्याने फक्त काही तरंगलांब्यांचे विवेचक परावर्तन होत नाही, अशा पटलांना प्रतिपरावर्तक म्हणतात. त्याचप्रमाणे विशिष्ट जाडीचे पटल असलेल्या काचेच्या पृष्ठभागावर प्रकाश पाडल्यास व्यतिकरण (दोन वा अधिक तरंगमाला एकीवर एक येऊन मिसळल्यामुळे निर्माण होणारा आविष्कार) होऊन काही विशिष्ट तरंगलांबीचाच प्रकाश त्यातून बाहेर पडतो. अशा पटलांना व्यतिकरण प्रकाशीय गाळण्या म्हणतात. पातळ पटल प्रकारच्या परावर्तकाचा उपयोग लेसर निर्मितीमध्येही होतो.

वर पातळ पटलांचे फक्त काही उपयोग वर्णिले आहेत. यांशिवाय अनेक प्रकारच्या विविध उपकरणांत पातळ पटलांचा उपयोग करतात. पदार्थाच्या पृष्ठभागाचे गुणधर्म आणि त्यावर अनेक बाबींचे होणारे परिणाम पातळ पटलाच्या साहाय्याने चांगले अभ्यासता येतात [ ⇨ पृष्ठविज्ञान]. 

संदर्भ : 1. Chopra, K. L. Thin Film Phenomena, New York, 1969.

             2. Maissel, L. I. Glang, R., Ed. Handbook of Thin Film Technology, New York, 1970.  

भिडे, र. द.

Close Menu
Skip to content